0 0 0
  8. STD10N60M2

Транзисторы с каналом N SMD STD10N60M2

 
STD10N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 077495
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,9А; 85Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.76 грн
5+
86.42 грн
15+
68.51 грн
40+
64.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2427 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
4,9А(1441268)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
85Вт(1618986)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,383 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD10N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 077495
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,9А; 85Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.76 грн
5+
86.42 грн
15+
68.51 грн
40+
64.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2427 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
4,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
85Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,383 g