0 0 0
  8. STD10NF10T4

Транзисторы с каналом N SMD STD10NF10T4

 
STD10NF10T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077496
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
34.02 грн
25+
30.67 грн
42+
23.59 грн
115+
22.27 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3643 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,375 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD10NF10T4
STMicroelectronics
Артикул: 077496
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
34.02 грн
25+
30.67 грн
42+
23.59 грн
115+
22.27 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3643 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,375 g