0 0 0
  8. STD12NF06T4

Транзисторы с каналом N SMD STD12NF06T4

 
STD12NF06T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077501
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
31.69 грн
25+
28.44 грн
44+
22.80 грн
119+
21.56 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
8,5А(1479174)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,368 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD12NF06T4
STMicroelectronics
Артикул: 077501
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
31.69 грн
25+
28.44 грн
44+
22.80 грн
119+
21.56 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
8,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,368 g