0 0 0
  8. STD18N65M5

Транзисторы с каналом N SMD STD18N65M5

 
STD18N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 077512
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
222.49 грн
3+
210.08 грн
6+
172.10 грн
16+
162.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2185 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
9,4А(1479194)
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,523 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD18N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 077512
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
222.49 грн
3+
210.08 грн
6+
172.10 грн
16+
162.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2185 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
9,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,523 g