0 0 0
  8. STD1NK60-1

Транзисторы с каналом N THT STD1NK60-1

 
STD1NK60-1
 
STMicroelectronics
Артикул: 079957
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.28 грн
25+
23.42 грн
56+
17.93 грн
152+
16.92 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
I2PAK(1600260)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
0,63А(1638659)
Сопротивление в открытом состоянии
8,5Ом(1638660)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,407 g
 
Транзисторы с каналом N THT STD1NK60-1
STMicroelectronics
Артикул: 079957
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.28 грн
25+
23.42 грн
56+
17.93 грн
152+
16.92 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
I2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
0,63А
Сопротивление в открытом состоянии
8,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,407 g