0 0 0
  8. STD2N105K5

Транзисторы с каналом N SMD STD2N105K5

 
STD2N105K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 077524
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1050В; 0,95А; 60Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
140.43 грн
5+
131.85 грн
10+
101.42 грн
27+
95.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2748 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
1,05кВ(1638832)
Ток стока
0,95А(1638663)
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,397 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD2N105K5
STMicroelectronics
Артикул: 077524
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1050В; 0,95А; 60Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
140.43 грн
5+
131.85 грн
10+
101.42 грн
27+
95.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2748 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
1,05кВ
Ток стока
0,95А
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,397 g