0 0 0
  8. STD2NK100Z

Транзисторы с каналом N SMD STD2NK100Z

 
STD2NK100Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 077528
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.87 грн
5+
40.43 грн
25+
35.69 грн
30+
33.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
1,16А(1638664)
Сопротивление в открытом состоянии
8,5Ом(1638660)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
70Вт(1702087)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,35 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD2NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 077528
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.87 грн
5+
40.43 грн
25+
35.69 грн
30+
33.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
1,16А
Сопротивление в открытом состоянии
8,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
70Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,35 g