0 0 0
  8. STD4NK60ZT4

Транзисторы с каналом N SMD STD4NK60ZT4

 
STD4NK60ZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077543
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.92 грн
5+
48.58 грн
25+
37.94 грн
32+
31.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1072 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
2,5А(1441399)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
70Вт(1702087)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,29 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD4NK60ZT4
STMicroelectronics
Артикул: 077543
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.92 грн
5+
48.58 грн
25+
37.94 грн
32+
31.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1072 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
70Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,29 g