0 0 0
  8. STD4NK80ZT4

Транзисторы с каналом N SMD STD4NK80ZT4

 
STD4NK80ZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077544
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,89А; 80Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.58 грн
5+
59.27 грн
25+
40.97 грн
67+
38.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3255 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1,89А(1638669)
Сопротивление в открытом состоянии
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
80Вт(1701921)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,45 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD4NK80ZT4
STMicroelectronics
Артикул: 077544
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,89А; 80Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.58 грн
5+
59.27 грн
25+
40.97 грн
67+
38.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3255 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1,89А
Сопротивление в открытом состоянии
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
80Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,45 g