0 0 0
  8. STD5N95K5

Транзисторы с каналом N SMD STD5N95K5

 
STD5N95K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 600773
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 950В; 2,2А; Idm: 14А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.26 грн
5+
112.46 грн
11+
92.80 грн
30+
88.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
2,2А(1501033)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
70Вт(1702087)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
12,5нC(1609817)
Технология
MDmesh™ K5(1827826)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
14А(1709893)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD5N95K5
STMicroelectronics
Артикул: 600773
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 950В; 2,2А; Idm: 14А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.26 грн
5+
112.46 грн
11+
92.80 грн
30+
88.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
70Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
12,5нC
Технология
MDmesh™ K5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
14А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g