0 0 0
  8. STD65N55F3

Транзисторы с каналом N SMD STD65N55F3

 
STD65N55F3
 
STMicroelectronics
Артикул: 077552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 56А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
165.10 грн
10+
138.49 грн
13+
78.25 грн
36+
73.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
8,5мОм(1479226)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD65N55F3
STMicroelectronics
Артикул: 077552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 56А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
165.10 грн
10+
138.49 грн
13+
78.25 грн
36+
73.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
8,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g