0 0 0
  8. STD8N65M5

Транзисторы с каналом N SMD STD8N65M5

 
STD8N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 077567
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,4А; 70Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.80 грн
5+
150.71 грн
8+
139.89 грн
20+
132.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 36 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
4,4А(1441573)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
70Вт(1702087)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,392 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STD8N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 077567
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,4А; 70Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.80 грн
5+
150.71 грн
8+
139.89 грн
20+
132.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 36 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
4,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
70Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,392 g