0 0 0
  7. STE53NC50

Транзисторные модули MOSFET STE53NC50

 
STE53NC50
 
STMicroelectronics
Артикул: 268732
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; винтами; Idm: 212А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 141.58 грн
2+
2 024.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Рассеиваемая мощность
460Вт(1741740)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
MDmesh™(1611363) PowerMesh™(1611364) MESH OVERLAY™(1827834)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
212А(1758520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,66 g
 
Транзисторные модули MOSFET STE53NC50
STMicroelectronics
Артикул: 268732
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; винтами; Idm: 212А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 141.58 грн
2+
2 024.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Рассеиваемая мощность
460Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
MDmesh™
Технология
PowerMesh™
Технология
MESH OVERLAY™
Ток стока в импульсном режиме
212А
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,66 g