0 0 0
  7. STE88N65M5

Транзисторные модули MOSFET STE88N65M5

 
STE88N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 268733
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 55,7А; ISOTOP; винтами; 494Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 616.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
55,7А(1612567)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Рассеиваемая мощность
494Вт(1741983)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
MDmesh™(1611363) PowerMesh™(1611364) MESH OVERLAY™(1827834)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
352А(1758522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,21 g
 
Транзисторные модули MOSFET STE88N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 268733
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 55,7А; ISOTOP; винтами; 494Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 616.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Корпус
ISOTOP
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
55,7А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Рассеиваемая мощность
494Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
MDmesh™
Технология
PowerMesh™
Технология
MESH OVERLAY™
Ток стока в импульсном режиме
352А
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,21 g