0 0 0
  8. STF24N60DM2

Транзисторы с каналом N THT STF24N60DM2

 
STF24N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 079979
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; полевой; 600В; 11А; 30Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
200.94 грн
3+
180.85 грн
8+
139.89 грн
20+
132.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 46 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
FDmesh™ II Plus(1827835)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,693 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF24N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 079979
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; полевой; 600В; 11А; 30Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
200.94 грн
3+
180.85 грн
8+
139.89 грн
20+
132.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 46 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
FDmesh™ II Plus
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,693 g