0 0 0
  8. STF6N60M2

Транзисторы с каналом N THT STF6N60M2

 
STF6N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 079991
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 600В; 2,9А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
104.18 грн
3+
90.96 грн
10+
81.63 грн
16+
62.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 95 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
2,9А(1492567)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ || Plus(1827828)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,693 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF6N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 079991
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 600В; 2,9А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
104.18 грн
3+
90.96 грн
10+
81.63 грн
16+
62.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 95 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
2,9А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ || Plus
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,693 g