0 0 0
  8. STF6N95K5

Транзисторы с каналом N THT STF6N95K5

 
STF6N95K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 079993
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 950В; 6А; 90Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.81 грн
3+
131.10 грн
10+
105.67 грн
27+
100.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 116 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом(1441390)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
90Вт(1701929)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH5™(1827829)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,7 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF6N95K5
STMicroelectronics
Артикул: 079993
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 950В; 6А; 90Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.81 грн
3+
131.10 грн
10+
105.67 грн
27+
100.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 116 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
90Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH5™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,7 g