0 0 0
  8. STF8N65M5

Транзисторы с каналом N THT STF8N65M5

 
STF8N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 079995
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 4,4А; 25Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.83 грн
3+
190.10 грн
8+
131.37 грн
21+
124.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
4,4А(1441573)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ V(1827832)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,69 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF8N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 079995
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 4,4А; 25Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.83 грн
3+
190.10 грн
8+
131.37 грн
21+
124.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
4,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ V
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,69 g