0 0 0
  8. STF8NK100Z

Транзисторы с каналом N THT STF8NK100Z

 
STF8NK100Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 079996
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 40Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
182.18 грн
3+
162.80 грн
8+
124.81 грн
22+
117.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 185 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
4,3А(1441593)
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом(1638684)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,712 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF8NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 079996
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 40Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
182.18 грн
3+
162.80 грн
8+
124.81 грн
22+
117.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 185 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
4,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,712 g