0 0 0
  8. STGB10H60DF

Транзисторы IGBT SMD STGB10H60DF

 
STGB10H60DF
 
STMicroelectronics
Артикул: 947178
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 115Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
118.28 грн
5+
107.16 грн
13+
81.76 грн
35+
77.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
57нC(1479286)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB10H60DF
STMicroelectronics
Артикул: 947178
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 115Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
118.28 грн
5+
107.16 грн
13+
81.76 грн
35+
77.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
115Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
57нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g