0 0 0
  8. STGB10NB40LZT4

Транзисторы IGBT SMD STGB10NB40LZT4

 
STGB10NB40LZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 947177
Транзистор: IGBT; 410В; 10А; 150Вт; D2PAK; автомобильная отрасль
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.73 грн
5+
145.80 грн
10+
108.35 грн
25+
102.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
410В(1862558)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) internally clamped(1880446)
Заряд затвора
28нC(1479173)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB10NB40LZT4
STMicroelectronics
Артикул: 947177
Транзистор: IGBT; 410В; 10А; 150Вт; D2PAK; автомобильная отрасль
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.73 грн
5+
145.80 грн
10+
108.35 грн
25+
102.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
410В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Тип транзистора
IGBT
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
150Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
internally clamped
Заряд затвора
28нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g