0 0 0
  8. STGB10NC60HDT4

Транзисторы IGBT SMD STGB10NC60HDT4

 
STGB10NC60HDT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 466337
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 65Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.60 грн
5+
112.72 грн
12+
88.91 грн
32+
84.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 282 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
20А(1645259)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
19,2нC(1742152)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,565 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB10NC60HDT4
STMicroelectronics
Артикул: 466337
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 65Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.60 грн
5+
112.72 грн
12+
88.91 грн
32+
84.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 282 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
20А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
65Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
19,2нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,565 g