0 0 0
  8. STGB15M65DF2

Транзисторы IGBT SMD STGB15M65DF2

 
STGB15M65DF2
 
STMicroelectronics
Артикул: 947172
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 136Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
125.42 грн
5+
112.72 грн
12+
85.73 грн
33+
80.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
15А(1440962)
Ток коллектора в импульсе
60А(1645252)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB15M65DF2
STMicroelectronics
Артикул: 947172
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 136Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
125.42 грн
5+
112.72 грн
12+
85.73 грн
33+
80.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
15А
Ток коллектора в импульсе
60А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
136Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
45нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g