0 0 0
  8. STGB20NB41LZT4

Транзисторы IGBT SMD STGB20NB41LZT4

 
STGB20NB41LZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 947170
Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
267.51 грн
5+
241.32 грн
6+
183.37 грн
16+
173.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
400В(1440784)
Ток коллектора
20А(1440977)
Ток коллектора в импульсе
80А(1441679)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
automotive industry(1821825) системы зажигания(1862559)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) internally clamped(1880446)
Заряд затвора
46нC(1479438)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB20NB41LZT4
STMicroelectronics
Артикул: 947170
Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
267.51 грн
5+
241.32 грн
6+
183.37 грн
16+
173.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
400В
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
80А
Тип транзистора
IGBT
Применение
automotive industry
Применение
системы зажигания
Рассеиваемая мощность
200Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
internally clamped
Заряд затвора
46нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g