0 0 0
  8. STGB30H60DFB

Транзисторы IGBT SMD STGB30H60DFB

 
STGB30H60DFB
 
STMicroelectronics
Артикул: 947217
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
217.54 грн
5+
195.23 грн
7+
145.82 грн
19+
137.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
260Вт(1701961)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
149нC(1745937)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB30H60DFB
STMicroelectronics
Артикул: 947217
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
217.54 грн
5+
195.23 грн
7+
145.82 грн
19+
137.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
260Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
149нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g