0 0 0
  8. STGB30M65DF2

Транзисторы IGBT SMD STGB30M65DF2

 
STGB30M65DF2
 
STMicroelectronics
Артикул: 947184
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 258Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
210.37 грн
5+
189.65 грн
7+
142.63 грн
19+
134.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
258Вт(1742133)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB30M65DF2
STMicroelectronics
Артикул: 947184
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 258Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
210.37 грн
5+
189.65 грн
7+
142.63 грн
19+
134.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
258Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
80нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g