0 0 0
  8. STGB6M65DF2

Транзисторы IGBT SMD STGB6M65DF2

 
STGB6M65DF2
 
STMicroelectronics
Артикул: 947189
Транзистор: IGBT; 650В; 6А; 88Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.41 грн
5+
79.28 грн
17+
59.46 грн
46+
56.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
6А(1440922)
Ток коллектора в импульсе
24А(1713006)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
88Вт(1741738)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
21,2нC(1811077)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB6M65DF2
STMicroelectronics
Артикул: 947189
Транзистор: IGBT; 650В; 6А; 88Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.41 грн
5+
79.28 грн
17+
59.46 грн
46+
56.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
6А
Ток коллектора в импульсе
24А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
88Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
21,2нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g