0 0 0
  8. STGB8NC60KDT4

Транзисторы IGBT SMD STGB8NC60KDT4

 
STGB8NC60KDT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 947192
Транзистор: IGBT; 600В; 8А; 65Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.15 грн
5+
110.44 грн
13+
83.43 грн
34+
79.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
8А(1440886)
Ток коллектора в импульсе
30А(1441708)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
19нC(1479054)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB8NC60KDT4
STMicroelectronics
Артикул: 947192
Транзистор: IGBT; 600В; 8А; 65Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.15 грн
5+
110.44 грн
13+
83.43 грн
34+
79.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
8А
Ток коллектора в импульсе
30А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
65Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
19нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g