0 0 0
  8. STGD10NC60KDT4

Транзисторы IGBT SMD STGD10NC60KDT4

 
STGD10NC60KDT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 930976
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
98.14 грн
5+
88.10 грн
13+
75.73 грн
36+
71.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2250 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
30А(1441708)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
62Вт(1708587)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
19нC(1479054)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,409 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGD10NC60KDT4
STMicroelectronics
Артикул: 930976
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
98.14 грн
5+
88.10 грн
13+
75.73 грн
36+
71.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2250 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
30А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
62Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
19нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,409 g