0 0 0
  8. STGD20N45LZAG

Транзисторы IGBT SMD STGD20N45LZAG

 
STGD20N45LZAG
 
STMicroelectronics
Артикул: 947196
Транзистор: IGBT; 450В; 25А; 150Вт; DPAK; системы зажигания
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
149.23 грн
5+
134.95 грн
10+
102.40 грн
28+
96.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение коллектор-эмиттер
450В(1440872)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
50А(1441694)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
системы зажигания(1862559)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724) internally clamped(1880446)
Заряд затвора
26нC(1479074)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGD20N45LZAG
STMicroelectronics
Артикул: 947196
Транзистор: IGBT; 450В; 25А; 150Вт; DPAK; системы зажигания
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
149.23 грн
5+
134.95 грн
10+
102.40 грн
28+
96.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение коллектор-эмиттер
450В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
50А
Тип транзистора
IGBT
Применение
системы зажигания
Рассеиваемая мощность
150Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Характеристики полупроводниковых элементов
internally clamped
Заряд затвора
26нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g