0 0 0
  8. STGD25N36LZAG

Транзисторы IGBT SMD STGD25N36LZAG

 
STGD25N36LZAG
 
STMicroelectronics
Артикул: 947210
Транзистор: IGBT; 350В; 25А; 150Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.64 грн
5+
96.60 грн
14+
72.64 грн
38+
68.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение коллектор-эмиттер
350В(1440857)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
50А(1441694)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
automotive industry(1821825) системы зажигания(1862559)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724) internally clamped(1880446)
Заряд затвора
25,7нC(1995417)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGD25N36LZAG
STMicroelectronics
Артикул: 947210
Транзистор: IGBT; 350В; 25А; 150Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.64 грн
5+
96.60 грн
14+
72.64 грн
38+
68.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение коллектор-эмиттер
350В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
50А
Тип транзистора
IGBT
Применение
automotive industry
Применение
системы зажигания
Рассеиваемая мощность
150Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Характеристики полупроводниковых элементов
internally clamped
Заряд затвора
25,7нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g