0 0 0
  8. STGF10NB60SD

Транзисторы IGBT THT STGF10NB60SD

 
STGF10NB60SD
 
STMicroelectronics
Артикул: 221357
Транзистор: IGBT; 600В; 23А; 25Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
149.93 грн
3+
136.02 грн
9+
116.70 грн
24+
110.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 84 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
23А(1478913)
Ток коллектора в импульсе
80А(1441679)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
33нC(1479084)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,71 g
 
Транзисторы IGBT THT STGF10NB60SD
STMicroelectronics
Артикул: 221357
Транзистор: IGBT; 600В; 23А; 25Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
149.93 грн
3+
136.02 грн
9+
116.70 грн
24+
110.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 84 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
23А
Ток коллектора в импульсе
80А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
25Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
33нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,71 g