0 0 0
  8. STGF30M65DF2

Транзисторы IGBT THT STGF30M65DF2

 
STGF30M65DF2
 
STMicroelectronics
Артикул: 947757
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 38Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
160.93 грн
3+
144.37 грн
10+
108.87 грн
26+
103.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
38Вт(1449556)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT THT STGF30M65DF2
STMicroelectronics
Артикул: 947757
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 38Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
160.93 грн
3+
144.37 грн
10+
108.87 грн
26+
103.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
38Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
80нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g