Транзисторы IGBT THT STGP4M65DF2

 
STGP4M65DF2
 
Артикул: 947759
Транзистор: IGBT; 650В; 4А; 68Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.28 грн
3+
54.84 грн
10+
50.81 грн
24+
41.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
(1440913)
Ток коллектора в импульсе
16А(1764500)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
68Вт(1708591)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
15,2нC(1714165)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT THT STGP4M65DF2
STMicroelectronics
Артикул: 947759
Транзистор: IGBT; 650В; 4А; 68Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.28 грн
3+
54.84 грн
10+
50.81 грн
24+
41.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
Ток коллектора в импульсе
16А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
68Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
15,2нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g