0 0 0
  8. STGW30V60DF

Транзисторы IGBT THT STGW30V60DF

 
STGW30V60DF
 
STMicroelectronics
Артикул: 221370
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 258Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
292.95 грн
3+
263.66 грн
5+
205.07 грн
14+
193.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 178 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
258Вт(1742133)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
163нC(1610054)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,5 g
 
Транзисторы IGBT THT STGW30V60DF
STMicroelectronics
Артикул: 221370
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 258Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
292.95 грн
3+
263.66 грн
5+
205.07 грн
14+
193.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 178 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
258Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
163нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,5 g