0 0 0
  8. STGW40H65DFB-4

Транзисторы IGBT THT STGW40H65DFB-4

 
STGW40H65DFB-4
 
STMicroelectronics
Артикул: 947744
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 283Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
384.80 грн
3+
346.79 грн
4+
263.66 грн
11+
248.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
160А(1694411)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
283Вт(1779356)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848) integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,21мкC(1951554)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы IGBT THT STGW40H65DFB-4
STMicroelectronics
Артикул: 947744
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 283Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
384.80 грн
3+
346.79 грн
4+
263.66 грн
11+
248.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
160А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
283Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,21мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g