0 0 0
  8. STGW80H65DFB

Транзисторы IGBT THT STGW80H65DFB

 
STGW80H65DFB
 
STMicroelectronics
Артикул: 896605
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 470Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
668.20 грн
3+
460.82 грн
7+
435.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 19 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
80А(1441762)
Ток коллектора в импульсе
300А(1441736)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
470Вт(1741914)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
414нC(1805940)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,582 g
 
Транзисторы IGBT THT STGW80H65DFB
STMicroelectronics
Артикул: 896605
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 470Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
668.20 грн
3+
460.82 грн
7+
435.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 19 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
80А
Ток коллектора в импульсе
300А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
470Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
414нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,582 g