0 0 0
  8. STGWA25M120DF3

Транзисторы IGBT THT STGWA25M120DF3

 
STGWA25M120DF3
 
STMicroelectronics
Артикул: 842325
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 375Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
403.62 грн
3+
363.10 грн
4+
278.08 грн
10+
262.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 15 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
85нC(1479544)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,137 g
 
Транзисторы IGBT THT STGWA25M120DF3
STMicroelectronics
Артикул: 842325
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 375Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
403.62 грн
3+
363.10 грн
4+
278.08 грн
10+
262.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 15 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
100А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
375Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
85нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,137 g