0 0 0
  8. STGWA75H65DFB2

Транзисторы IGBT THT STGWA75H65DFB2

 
STGWA75H65DFB2
 
STMicroelectronics
Артикул: 842327
Транзистор: IGBT; 650В; 71А; 357Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
418.88 грн
3+
377.92 грн
4+
289.05 грн
10+
273.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
71А(1968266)
Ток коллектора в импульсе
225А(1694415)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
207нC(1968267)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,128 g
 
Транзисторы IGBT THT STGWA75H65DFB2
STMicroelectronics
Артикул: 842327
Транзистор: IGBT; 650В; 71А; 357Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
418.88 грн
3+
377.92 грн
4+
289.05 грн
10+
273.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
71А
Ток коллектора в импульсе
225А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
357Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
207нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,128 g