0 0 0
  8. STGWA8M120DF3

Транзисторы IGBT THT STGWA8M120DF3

 
STGWA8M120DF3
 
STMicroelectronics
Артикул: 947700
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 8А; 167Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
250.99 грн
3+
225.65 грн
6+
171.02 грн
17+
161.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
8А(1440886)
Ток коллектора в импульсе
32А(1790995)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
167Вт(1740791)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы IGBT THT STGWA8M120DF3
STMicroelectronics
Артикул: 947700
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 8А; 167Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
250.99 грн
3+
225.65 грн
6+
171.02 грн
17+
161.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
8А
Ток коллектора в импульсе
32А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
167Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
32нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g