0 0 0
  8. STGWT20V60DF

Транзисторы IGBT THT STGWT20V60DF

 
STGWT20V60DF
 
STMicroelectronics
Артикул: 947779
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 167Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
173.05 грн
3+
155.58 грн
9+
118.28 грн
24+
111.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
20А(1440977)
Ток коллектора в импульсе
80А(1441679)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
167Вт(1740791)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
116нC(1609972)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT STGWT20V60DF
STMicroelectronics
Артикул: 947779
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 167Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
173.05 грн
3+
155.58 грн
9+
118.28 грн
24+
111.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
80А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
167Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
116нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g