0 0 0
  8. STGWT30H60DFB

Транзисторы IGBT THT STGWT30H60DFB

 
STGWT30H60DFB
 
STMicroelectronics
Артикул: 947703
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
292.12 грн
3+
261.95 грн
6+
199.24 грн
14+
188.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
260Вт(1701961)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
149нC(1745937)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT STGWT30H60DFB
STMicroelectronics
Артикул: 947703
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
292.12 грн
3+
261.95 грн
6+
199.24 грн
14+
188.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
260Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
149нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g