0 0 0
  8. STGWT60H65DFB

Транзисторы IGBT THT STGWT60H65DFB

 
STGWT60H65DFB
 
STMicroelectronics
Артикул: 446746
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
406.68 грн
3+
366.09 грн
4+
281.01 грн
10+
265.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 209 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
60А(1441121)
Ток коллектора в импульсе
240А(1694418)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
306нC(1823386)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,21 g
 
Транзисторы IGBT THT STGWT60H65DFB
STMicroelectronics
Артикул: 446746
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
406.68 грн
3+
366.09 грн
4+
281.01 грн
10+
265.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 209 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
60А
Ток коллектора в импульсе
240А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
375Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
306нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,21 g