0 0 0
  8. STGWT80H65DFB

Транзисторы IGBT THT STGWT80H65DFB

 
STGWT80H65DFB
 
STMicroelectronics
Артикул: 947685
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 470Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
565.67 грн
3+
386.38 грн
7+
365.52 грн
3000+
351.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
80А(1441762)
Ток коллектора в импульсе
300А(1441736)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
470Вт(1741914)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
414нC(1805940)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT STGWT80H65DFB
STMicroelectronics
Артикул: 947685
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 470Вт; TO3P
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
565.67 грн
3+
386.38 грн
7+
365.52 грн
3000+
351.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
80А
Ток коллектора в импульсе
300А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
470Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
414нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g