0 0 0
  8. STGYA120M65DF2AG

Транзисторы IGBT THT STGYA120M65DF2AG

 
STGYA120M65DF2AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 627480
Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 625Вт; MAX247; автомобильная отрасль
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 160.54 грн
2+
870.80 грн
4+
823.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
MAX247(1639667)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
120А(1492079)
Ток коллектора в импульсе
360А(1750617)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
420нC(1711582)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics
Артикул: 627480
Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 625Вт; MAX247; автомобильная отрасль
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 160.54 грн
2+
870.80 грн
4+
823.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
MAX247
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
120А
Ток коллектора в импульсе
360А
Тип транзистора
IGBT
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
625Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
420нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g