0 0 0
  8. STGYA50M120DF3

Транзисторы IGBT THT STGYA50M120DF3

 
STGYA50M120DF3
 
STMicroelectronics
Артикул: 947710
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 535Вт; MAX247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
834.52 грн
2+
571.65 грн
3+
570.86 грн
5+
539.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
MAX247(1639667)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
535Вт(1913951)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
194нC(1960062)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
Артикул: 947710
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 535Вт; MAX247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
834.52 грн
2+
571.65 грн
3+
570.86 грн
5+
539.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
MAX247
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
535Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
194нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g