0 0 0
  8. STH30N65DM6-7AG

Транзисторы с каналом N SMD STH30N65DM6-7AG

 
STH30N65DM6-7AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 562628
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 18А; Idm: 112А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
725.11 грн
3+
495.46 грн
6+
467.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
H2PAK7(1913303)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
0,115Ом(1738138)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
223Вт(1740792)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
46нC(1479438)
Технология
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
112А(1812410)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STH30N65DM6-7AG
STMicroelectronics
Артикул: 562628
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 18А; Idm: 112А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
725.11 грн
3+
495.46 грн
6+
467.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
H2PAK7
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
0,115Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
223Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
46нC
Технология
MDmesh™ DM6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
112А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g