0 0 0
  8. STN1HNK60

Транзисторы с каналом N SMD STN1HNK60

 
STN1HNK60
 
STMicroelectronics
Артикул: 077573
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,4А; 3,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.95 грн
20+
18.57 грн
72+
14.20 грн
196+
13.41 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
0,4А(1702147)
Сопротивление в открытом состоянии
8,5Ом(1638660)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,3Вт(1607485)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,062 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STN1HNK60
STMicroelectronics
Артикул: 077573
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,4А; 3,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.95 грн
20+
18.57 грн
72+
14.20 грн
196+
13.41 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
0,4А
Сопротивление в открытом состоянии
8,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,062 g