0 0 0
  8. STN1NK60Z

Транзисторы с каналом N SMD STN1NK60Z

 
STN1NK60Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 077574
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
19.47 грн
25+
17.16 грн
67+
14.92 грн
182+
14.10 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 5610 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
189мА(1638686)
Сопротивление в открытом состоянии
15Ом(1459386)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,3Вт(1607485)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STN1NK60Z
STMicroelectronics
Артикул: 077574
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
19.47 грн
25+
17.16 грн
67+
14.92 грн
182+
14.10 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 5610 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
189мА
Сопротивление в открытом состоянии
15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g