0 0 0
  8. STP10N60M2

Транзисторы с каналом N THT STP10N60M2

 
STP10N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780516
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 4,9А; Idm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.42 грн
5+
98.32 грн
13+
78.50 грн
35+
74.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
4,9А(1441268)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
85Вт(1618986)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
13,5нC(1611304)
Технология
MDmesh™ M2(1827843)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP10N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 780516
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 4,9А; Idm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.42 грн
5+
98.32 грн
13+
78.50 грн
35+
74.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
4,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
85Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
13,5нC
Технология
MDmesh™ M2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g